| 型号： | BSP149 L6327 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Infineon Technologies | 描述： | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| BSP149 L6327 PDF |  |
| 产品目录绘图 | Mosfets SOT-223 |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | SIPMOS® |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 660mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.8 欧姆 @ 660mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 400µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 14nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 430pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1.8W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装 | PG-SOT223-4 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 产品目录页面 | 1620 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | BSP149L6327INCT |